根据产品性能介绍，小米SU7 Max版（双电机版，800V电压平台）的电驱供应商为汇川联合动力，其中搭载了来自英飞凌的SiC芯片和模块产品；标准版和Pro版（单电机版，400V电压平台）搭载了联合汽车电子的电桥，应用了博世第二代沟槽型SiC芯片产品。
这一轮PPT对标掀起的碳化硅大战，其实显示了作为入局造车的新新势力小米和老牌传统企业上汽的新能源精英智己，在残忍的降价潮中上市新品，压力都不小。
随着800V高压超充越来越成为中高端车型的标配，碳化硅的“上车量”，也成为车企们争夺的吸睛之地。
据业内人士透露，小米SU7单电机版本约为64颗SiC芯片，其中主驱约36颗，OBC（车载充电机）约14颗，高压DC-DC（高低压直流转换器）约8颗，空压机电控约6颗；双电机版本约为112颗，其中主驱48颗，辅驱36颗，OBC约14颗，高压DC-DC约8颗，空压机电控约6颗。这还不包括充电桩和PTC等环节。
而最先在电动车上应用SiC芯片的特斯拉，却要推翻自己开创的潮流，绞尽脑汁想要在下一代电驱系统上减少3/4的SiC用量。
最早使用SiC MOSFET（金属 - 氧化物半导体场效应管）的是丰田，早在2015年丰田就开始测试SiC MOSFET，只不过是在氢燃料车上。2016年，丰田的氢燃料车使用的SiC MOSFET由丰田关联公司电装提供，实现了从磊晶到芯片再到模块的垂直供应。
特斯拉是最先在电动汽车上使用SiC的汽车厂家。
2018年，特斯拉率先将意法半导体生产的第二代SiC应用于Model 3,开启了主驱逆变SiC器件在电动车的商业化应用。
作为第三代半导体材料的代表之一，SiC被称为新能源汽车800V高压快充的标配器件。
为了解决续航里程和充电快捷方便两个痛点，缓解补能焦虑，新能源车企采取加大电池容量、提供快充甚至超级快充的方案。
快充技术的核心在于提高整车充电功率。要提高整车充电功率，技术手段上，加大充电流，提高充电电压。加大充电电流意味着更粗更重的线束、更多的发热量以及更多附属设备瓶颈，而提升充电电压则有更大的设计自由度。这直接推动了400V（整车高压电气系统电压范围230V-450V，取中间值400V）电压平台向800V（550V-930V，取中间值800V）电压平台转换。