东芝将为客户提供易用性和性能都更高的电源半导体产品，充分满足电机控制逆变器和电动汽车电力控制系统等能效都至关重要的领域的应用需求，从而为实现脱碳社会做出贡献。
图1：外观（俯视图）与内部电路
图2：现有条形形态嵌入式SBD的MOSFET与格纹形态嵌入式SBD的MOSFET的原理图
图3：条形形态嵌入式SBD的MOSFET与格纹形态嵌入式SBD的MOSFET的单极传导及导通电阻临界电流密度测量值（东芝调查）
图4：典型SiC MOSFET与东芝SiC MOSFET（将SBD嵌入MOSFET芯片的MOSFET）的比较
图5：格纹形态嵌入式SBD的现有MOSFET与深势垒结构设计MOSFET的原理图
图6：条形形态嵌入式SBD和深势垒结构设计MOSFET的短路耐受时间和导通电阻的测量值（东芝调查）
应用：
-车载牵引逆变器
特性：
-低导通电阻与高可靠性
-车载裸片
-通过AEC-Q100认证
-漏极—源极电压额定值：VDSS＝1200 V
-漏极电流（DC）额定值：ID＝（229）A[8]
-低导通电阻：
RDS(ON)＝7.2 mΩ（典型值）（VGS＝＋18 V、Ta＝25 °C）
RDS(ON)＝12.1 mΩ（典型值）（VGS＝＋18 V、Ta＝175 °C）
主要规格：
（除非另有说明，Ta＝25 °C）
注：
[1] 可将电池供电的DC电源转换为AC电源并可控制电动汽车（EV）或混合动力电动车（HEV）电机的设备。
[2] 未封装芯片产品。
[3] 电路中电流回流导致的电流从源极流向漏极的工作。
[4] 当正向电压施加到漏极和源极之间的pn二极管时的双极性工作。
[5] 相比使用条形形态的产品。
[6] 与在正常开关工作期间的短时间传导相比，在控制电路故障等异常模式下出现长时间传导的现象，要求具有在一定短路工作持续时间内不会出现故障的强度。
[7] 为控制因高压而产生的高电场提供的器件结构元件，其会对器件性能产生重大影响。