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宝马X5 M

宝马X5 M

摘要来自:《东芝推出最新款1200 V SiC MOSFET》

【易车摘要频道】下列精选内容摘自于《东芝推出最新款1200 V SiC MOSFET》的片段:

东芝将为客户提供易用性和性能都更高的电源半导体产品,充分满足电机控制逆变器和电动汽车电力控制系统等能效都至关重要的领域的应用需求,从而为实现脱碳社会做出贡献。

图1:外观(俯视图)与内部电路

图2:现有条形形态嵌入式SBD的MOSFET与格纹形态嵌入式SBD的MOSFET的原理图

图3:条形形态嵌入式SBD的MOSFET与格纹形态嵌入式SBD的MOSFET的单极传导及导通电阻临界电流密度测量值(东芝调查)

图4:典型SiC MOSFET与东芝SiC MOSFET(将SBD嵌入MOSFET芯片的MOSFET)的比较

图5:格纹形态嵌入式SBD的现有MOSFET与深势垒结构设计MOSFET的原理图

图6:条形形态嵌入式SBD和深势垒结构设计MOSFET的短路耐受时间和导通电阻的测量值(东芝调查)

应用:

-车载牵引逆变器

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