图3：条形形态嵌入式SBD的MOSFET与格纹形态嵌入式SBD的MOSFET的单极传导及导通电阻临界电流密度测量值（东芝调查）
图4：典型SiC MOSFET与东芝SiC MOSFET（将SBD嵌入MOSFET芯片的MOSFET）的比较
图5：格纹形态嵌入式SBD的现有MOSFET与深势垒结构设计MOSFET的原理图
图6：条形形态嵌入式SBD和深势垒结构设计MOSFET的短路耐受时间和导通电阻的测量值（东芝调查）
应用：
-车载牵引逆变器
特性：
-低导通电阻与高可靠性
-车载裸片
-通过AEC-Q100认证
-漏极—源极电压额定值：VDSS＝1200 V
-漏极电流（DC）额定值：ID＝（229）A[8]
-低导通电阻：