随着新能源汽车逐渐由400V向800V高压平台推进，以满足消费者日常出行和长途旅行的市场需求。SiC芯片因其出色的耐高压、高结温应用等特性，被广泛应用于电驱逆变器、电动汽车车载充电（OBC）和直流-直流变换器（DC-DC）等关键零部件中。
长城汽车从SiC衬底、外延、芯片、功率模块、电驱应用等功率半导体上下游入手，或投资，或合作，补齐产业链，为长城新能源汽车提供拥有核心技术、自主可控的产业链条。
链条内的企业，近两年来成果颇丰，获得了多轮融资，产品顺利装车，生产也逐渐步入正轨，有待整车的爆发。
SiC衬底：投资
长城汽车就第三代半导体产业链投资了一家SiC单晶衬底公司——同光股份。该衬底公司在三个月前宣布完成F轮融资。
F轮融资规模为15亿元，由深创投新材料基金、京津冀产投基金领投，保定高新创投、河北产投联合投资。所融资金将用于进一步加速重点项目布局，加筑技术壁垒，构建企业级生态体系，培养第三代半导体行业人才。
本轮融资也是同光股份过去12年拿下的至少9轮融资之一。
同光股份成立于2012年，位于保定国家高新技术开发区，是中科院半导体所的合作单位，主要从事第三代半导体材料碳化硅衬底的研发、生产和销售，主要产品包括6/8英寸导电型和高纯半绝缘型碳化硅衬底。
据官网介绍，同光的产品已涵盖4英寸、6英寸、8英寸高纯半绝缘型和导电型碳化硅单晶衬底，并成功应用到我国5G通信和电动汽车领域中。其中，4-6英寸高纯半绝缘型衬底各项技术指标均达到国际先进水平；6英寸导电型衬底已取得关键工程化技术突破，达到车规级功率半导体芯片的应用标准；8英寸导电型衬底实现小批量生产。
今年2月份，同光股份的SiC衬底项目和粉体项目均顺利通过验收。其中衬底项目是公司首条SiC衬底产线的第三阶段建设项目。该项目自2017年启动规划，历时七年，于2024年2月顺利完成验收，意味着该项目全面投入生产已无障碍。
2020年3月，同光股份与涞源县人民政府签署协议，政企共建年产10万片4-6英寸SiC单晶衬底项目，布局单晶生长炉600台。2021年9月，该项目正式投产。2023年又对该产线进行了改造，并计划新建一条产线，预计改造产线和新建产线的投产，将使该工厂的SiC衬底产能提高到30万片左右。同光股份副总经理王巍曾表示，该公司2024年年内部产能规划达30万片，计划2025年实现50万-60万片。
与SiC衬底项目同时通过验收的SiC粉体项目由同光股份全资子公司河北同光新材料有限公司负责承接，计划投资7.4亿元，旨在建设一条年产能为165吨的SiC原材料生产线。2月验收的项目，实际产能为80吨。
SiC外延片：自研
今年2月，由长城汽车控股赛达半导体碳化硅外延项目环评消息公示。
公告显示，该项目建设地点在河北省保定市徐水经开区，项目总投资约14.7亿元。项目占地11979m ，总建筑面积7887m ，将租赁长城汽车徐水分公司原有厂房和空地（华讯厂房），形成公司生产和研发厂房。先期产能1.5万片/年，2027年规划产能为30万片/年。
企查查显示，赛达半导体成立于2023年10月，为稳晟科技全资子公司；而长城汽车董事长魏建军为稳晟科技的实际控股人。
SiC芯片：与外资大厂合作
今年3月8日，芯动半导体与意法半导体在深圳签署战略合作协议。
芯动半导体指出，新能源汽车市场不断扩大，SiC芯片的需求量也在持续增长。为稳定SiC芯片供应，芯动半导体与优质供应商建立长期合作关系，以保障更好地在SiC功率模块领域深耕发展。此次与意法半导体就SiC芯片业务签署战略合作协议，也将进一步推动长城汽车垂直整合，稳定供应链发展。
12月1日，芯动半导体与博世汽车电子在上海签署长期订单合作协议。
双方在SiC业务的战略合作，目的同样是稳固碳化硅供应链。同时，也将促进芯动半导体形成更加集聚的发展格局，进一步推动产业链融合。
芯动半导体的团队始创于2021年10月。次年10月，长城汽车使用自有资金与魏建军、稳晟科技共同出资设立芯动半导体，注册资本5000万元，其中公司认缴出资额1000万元，占比20%；稳晟科技认缴出资3500万元，占比70%。
IGBT/SiC功率模块：自研自制
2023年11月，芯动半导体自主研发的GFM平台 750V/820A IGBT功率模块顺利装车哈弗枭龙 MAX，首次实现在新能源汽车主驱控制器中的规模化应用。
基于GFM平台第一个产品的顺利装车，芯动半导体已形成平台化开发模式，在相同封装下兼容模块电流规格550A-950A，全面覆盖功率等级80kW-200kW，并将逐步实现批量装车及量产。同步开发的800V高压模块产品，采用全新封装形式，结合SiC技术应用，支持整车高压化平台需求。
芯动半导体的模块产品还包括SFM平台1200V SiC模块以及应用于车规DC/DC、OBC的80mΩ～16mΩ SiC MOSFET分立器件等产品。
SFM平台SiC模块，主要应用于新能源汽车主驱逆变器。采用进口成熟沟槽栅SiC mosfet、Clip设计+纳米银烧结，工作结温可达Tjop=175℃。椭圆pin-fin散热结构可有效降低热阻，寄生电感5nH，并可支持900V工作电压。