在NIO Day之前，蔚来的各个子系统负责人，比如智能硬件、底盘、安全、三电等等，相继在社交平台上对ET9上各自负责领域的技术进行了预热。内容的“格式”非常一致，都是先回溯汽车百年以来各自领域的发展，然后厘清了蔚来成立9年来在这个领域的进步，最后给ET9上的技术创新进行预热。字里行间之间，就是要把ET9“重新定义”的心智种下去。
的确，蔚来ET9上有太多全球领先的技术亮点，包括全球首发 17 项技术，52 项同级领先，已经申请了 525 项专利。但这一次NIO Day上只重点讲了其中的四项：自研智能驾驶芯片、自研全域900V高压架构、天行智能底盘系统、旗舰级安全标准。
首先是自研智能驾驶芯片。
ET9将会首发搭载蔚来自研的神玑NX9031芯片，采用5nm车规工艺，一颗实现四颗目前行业旗舰智能驾驶芯片的性能，并且ET9会搭载两颗。
关于这颗自研芯片，出于全球政治一些比较敏感的原因，蔚来并不方便讲太多细节。但是，有一些东西是可以肯定的。蔚来自研芯片的目的，是要与自研算法、与自研整车操作系统相互配合，从而打通全车车控、智驾、座舱、移动互联等全智能领域的体验，形成战略级的优势。而且，自研智驾芯片，也能让对可靠性的考量最大化实现。
其次是自研全域900高压架构。
蔚来“全域900V高压架构”拥有925V整车最高电压，600kW峰值充电功率，765A峰值充电电流，三项数据都是目前全球领先。同时，蔚来还使用了自研自产的1200V碳化硅功率模块。
要实现全域900V高压架构，需要具备从电芯到电池包的全栈自研能力。蔚来自研面向900V的46105大圆柱电芯和电池包，单颗电芯能量密度达到292Wh/kg，整包容量120kWh，超充快换电池包充电效率达到5C。电驱系统也专为高压设计，功率密度进一步提升，总体积较上一代减少30%。